سامسونگ و عرضه نسل دوم حافظه‌ ۱۰ نانومتری DRAM

کمپانی سامسونگ از آغاز تولید انبوه حافظه ی 10 نانومتری نسل دوم DDR4 DRAM (1y-nm) هشت گیگابایتی خود خبر داد.

بالاترین کارایی و بهره وری انرژی  با توجه به استفاده از یک چیپ هشت گیگابایتی DRAM و ابعاد کوچک، در حافظه ی نسل دوم 10 نانومتری DDR4 جدید سامسونگ به چشم می خورد که طیف وسیعی از سیستم های محاسباتی نسل بعد از این حافظه استفاده خواهند کرد. کلاس 10 نانومتر، بخشی از فناوری پردازش بین 10 تا 19 نانومتری را نشان می دهد. برای اولین بار در فوریه 2016، سامسونگ حافظه ی 10 نانومتری DRAM خود را عرضه کرد.

جیویانگ جیم مدیر بخش بازرگانی حافظه سامسونگ می گوید:
     یکی از موانع اصلی مقیاس پذیری DRAM، با توسعه فناوری های نوین در طراحی و پردازش، برداشته شده است. علاوه بر این، با راه اندازی سریع خط تولید و به منظور پاسخگویی به تقاضای بالای بازار و ادامه ی تقویت رقابت تجاری خود، تولید حافظه نسل دوم 10 نانومتری DRAM را تسریع خواهیم بخشید.

بازدهی حافظه جدید 10 نانومتری DDR4 سامسونگ تقریبا 30 درصد از نسل قبلی بهتر شده است. همچنن به دلیل استفاده از فناوری های پیشرفته و مدار اختصاصی طراحی شده، سطح عملکرد 10 درصد و بهره وری انرژی این پردازنده نیز 15 درصد ارتقا یافته است. حافظه ی هشت گیگابیتی DDR4 جدید نیز در هر پین با 3600 مگابیت عمل می کند که در مقایسه با حافظه نسل قبلی که با 3200 مگابیت بر ثانیه عمل می کرد، افزایش خوبی داشته است.

به منظور رسیدن به این دستاوردها، سامسونگ از فناوری های جدیدی به جای فرآیند EUV (اشعه فرابنفش) استفاده کرده که شامل استفاده از یک سیستم سنجش داده های سلولی با حساسیت بالا و طرح ایراسپیسر (Air spacer) پیشرفته می باشد.

سیستم جدید سنجش داده ها در سلول های نسل دوم حافظه ی 10 نانومتری DRAM قادر خواهند بود تا حجم داده ی ذخیره شده در هر سلول را به طور کاملا دقیق مشخص کنند که این موضوع باعث افزایش قابل توجه یکپارچگی مدار و بهره وری تولید خواهد شد.

این حافظه 10 نانومتری جدید، از یک ایراسپیسر منحصر به فرد بهره برده که با جای گیری در اطراف خطوط بیت، به میزان چشم گیری از پارازیت ظرفیت خازنی می کاهد. پارازیت ظرفیت خازنی، یک ظرفیت خازنی ناخواسته می باشد که بین قسمت های مدار الکتریکی یا بخش الکتریکی به دلیل مجاورت آن ها با یکدیگر به وجود می آید. هنگامی که دو رسانای الکتریکی در ولتاژ های مختلف بیش از حد به یکدیگر نزدیک باشند، تحت تاثیر میدان الکتریکی یکدیگر قرار گرفته و بار الکتریکی مخالف را مانند آن هایی که توسط خازن تولید شده، ذخیره می کنند. ایراسپیسر علاوه بر مقیاس گذاری در سطح بالا، سرعت عمل سلول را نیز افزایش می دهد.

این پیشرفت ها نشان می دهد که سامسونگ در حال شتاب بخشیدن به برنامه هایش برای معرفی هرچه سریع تر سیستم ها و چیپ های نسل بعدی نظیر DDR5، HBM3، LPDDR5 و GDDR6 است که در سرورهای سازمانی، دستگاه های تلفن همراه، ابررایانه ها، سیستم های HPC و کارت های گرافیک سرعت بالا به کار گرفته خواهد شد.

سامسونگ قرارداد همکاری اش را با تولیدکنندگان پردازشگر مورد نیاز برای ساخت ماژول 10 نانومتری DDR4 نسل دومی را نهایی کرده و در مرحله بعدی، با مشتریان بخش IT برای توسعه ی سیستم های محاسباتی کارآمدتر نسل بعد همکاری خواهد کرد.

سامسونگ به عنوان رهبر تولید DRAM، نه تنها به سرعتِ حجم تولید حافظه 10 نانومتری نسل دوم خود توجه ویژه دارد؛ بلکه می خواهد میزان تولید این محصول بیشتر از حافظه ی 10 نانومتری نسل اولش باشد که همین امر، افزایش تقاضای DRAM برای استفاده در سیستم های الکترونیکی پیشرفته در جهان را به دنبال خواهد داشت.