نقد و بررسی اجمالی حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با ظرفیت 4TB
SAMSUNG 870 QVO MZ77Q4T0 4TB SATA III Internal SSD
حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با ظرفیت 4TB
پیشنهاد ویژه آترامارت : اس اس دی اینترنال کروشیال مدل BX500 3D NAND 2.5 inch ظرفیت 2 ترابایت
اگر قصد ارتقا کامپیوتر خود و یا خرید نوع جدید از آن را دارید، احتمالا با نام حافظه SSD مواجه شده اید. امروزه با توجه به پیشرفت علم و تکنولوژی و طبعا نیاز به ذخیره حجم وسیع اطلاعات، استفاده از حافظه SSD با وجود مزایای آن توصیه می شود. از جمله مزایای SSD می توان به بهبود سرعت و ظرفیت حافظه (نسبت به انواع حافظه HDD) و استفاده کمتر از انرژی برق اشاره کرد. از این رو، استفاده از آن به خصوص به کارگیری انواع باکیفیت اهمیت زیادی دارد که از جمله می توان به حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با ظرفیت TB 4 اشاره کرد. مشخصات مهم این نوع حافظه در ادامه مورد بررسی قرار خواهد گرفت.این نوع حافظه یا درایو حالت جامد در واقع بر پایه حافظه فلش و شبیه مموری موبایل طراحی شده است و برای ذخیره سازی اطلاعات کاربرد وسیعی دارد. این نوع حافظه دارای سرعت خواندن و نوشتن بالاتری در مقایسه با سایر هارد دیسک ها می باشد و اجزای تشکیل دهنده آن، تراشه های حافظه های فلش می باشند.مشخصات فیزیکی درایو حالت جامد مانند وزن آن از جمله نکات مهم است چرا که بر وزن کلی لپ تاپ تاثیر گذار است. وزن این نوع حافظه مورد بررسی سبک بوده و معادل 50 گرم می باشد. ابعاد آن به صورت 100×8/69×8/6 میلیمتر می باشد. فرم فاکتور آن نیز 5/2 اینچ است. نوع فلش آن به صورتSamsung V-NAND 4bit MLC می باشد.مشخصات فنی حافظه به خصوص ظرفیت آن به دلیل داشتن فضای مناسب برای ذخیره سازی اطلاعات، حائز اهمیت است. این ظرفیت برای SSD مذکور، 4 ترابایت می باشد. نوع رابط آن SATA 6 Gb/s است. به علاوه سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات ترتیبی به ترتیب معادل 560 و 530 مگابایت بر ثانیه است. همچنین، سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی، 98.000 IOPS و سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی معادل 88.000 IOPS می باشد.کنترل کننده حافظه نیز، Samsung MKX Controller می باشد.از جمله سایر مشخصات متمایز و منحصر به فرد حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با ظرفیت TB 4 می توان به مقاومت آن در برابر ضربه، ضد خش بودن آن، مقاومت در برابر لرزش و مقاومت در در برابر شوک اشاره کرد. میزان مقاومت شوک، 1.500 G & 0.5 ms Half sine است و میانگین طول عمر –MTBF 1.500.000 ساعت می باشد. این نوع حافظه دارای قابلیت پشتیبانی از TRIM می باشد. دمای عملیاتی این قطعه، از صفر تا 70 درجه سانتیگراد است.از جمله مزایای این قطعه می توان به مدیریت بهینه انرژی، به کارگیری تکنولوژی V-NAND، سرعت خواندن و نوشتن فوق العاده، سیستم حفاظت دمایی، پایداری بالا و طول عمر تضمین شده و ایجاد امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES و تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ اشاره کرد.در همین راستا، بسیاری از کاربران خرید آن را با توجه به قابلیت، کیفیت و هزینه مقرون به صرفه آن، پیشنهاد داده اند. به علاوه، کیفیت ساخت و کارایی و عملکرد آن را به صورت عالی، امتیاز داده اند.
امتیاز و دیدگاه کاربران
۰
از
۵0 نفر امتیاز دادهاند
قدرت
3.5
دیدگاه خود را درباره این محصول بیان کنید
مرتب سازی دیدگاه ها براساس:
جدیدترین دیدگاه ها
مفید ترین دیدگاه ها
دیدگاه خریداران
آیا این دیدگاه برایتان مفید بود؟
5
5